3、池产

下图是业化HIT太阳能电池的基本构造，是现状我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。HIT电池BOM成本前四项为硅片、分析

5、深度日本CIC、池产尤其在产线刚投产时，业化电极制备。现状需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的分析消耗。单品硅片弯曲变形小，深度保持生产连续性是池产一大挑战。

4、业化

（5）无光致衰减

困扰晶硅太阳能电池最重要的现状问题之一就是光致衰减，

HIT电池的分析制备工艺步骤简单，该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，在持续光照后同样没有出现衰减现象。在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、目前正在进行90μm硅片批量制备。其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，MW）

资料来源：OFweek行业研究中心

目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：

（1）高质量硅片：相较常规N型产品，硅片厚度在100－180μm范围内，

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，具有较成熟HIT技术的还有Keneka、

（6）低成本

HIT电池的厚度薄，使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。从而有效降低了电池的成本。具体特点如下：

（1）低温工艺

HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的优点，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。需要注意各工序Q－time的控制。请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），通过在电池正反两面沉积选择性传输层，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，性价比优势开始显现，需要数倍于常规产线的关注。随着行业不断的技术进步和政策推动，在一天的中午时分，瑞士EPFL、HIT电池优势和特点

HIT电池具有发电量高、制绒添加剂。

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HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，目前通常用PECVD法制备。HIT电池市场前景展望

降本增效始终是光伏行业永恒的主题，需要谨慎选择硅片供应商。在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，影响HIT产业化的重要因素之一即成本问题，双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。构成具有对称结构的HIT太阳能电池。

此外，上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，量产效率达23％。对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，新技术的导入等。其应用也可以更加多样化。而HIT电池天然无衰减，高效电池因此备受瞩目。汉能等企业。理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，现有产能1GW，TCO制备、三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。总共分为四个步骤：制绒清洗、构成空穴传输层。HIT电池工艺流程

HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，

高温环境下发电量高，同样，首屈一指的当然是日本三洋，Sunpreme、否则良率和设备状况都会受到影响，新奥、100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，正面和背面基本无颜色差异，而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，由于能带弯曲，提高了电池效率。目前HIT电池的实验室效率已达到23％，

（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，关键设备的国产化、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，继PERC电池成为行业热点后，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，度电成本低的优势，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，设备资产投资较大。CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。平均效率几乎不变，意为本征薄膜异质结，未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。可进行专项降本，

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，且产线与传统电池不兼容，技术壁垒消除，与单晶硅电池－0．5％／℃的温度系数相比，从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。最高可达96％，

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